PMPB29XNE,115 دیتاشیت

PMPB29XNE,115

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PMPB29XNE,115
حجم فایل 61.037 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت PMPB29XNE,115-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Nexperia PMPB29XNE,115
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.7W;12.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 18.6nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1150pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 900mV@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 33mΩ@5A,4.5V
  • Package: SOT-1220
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه